Le Snapdragon 845 ne serait finalement pas grav\u00e9 en 7nm FinFET. Selon de nouvelles informations en fuite, ce nouveau processus de gravure n'est pas encore pr\u00eat, et la nouvelle puce de Qualcomm serait donc grav\u00e9e en 10nm FinFET, \u00e0 l'instar du Snapdragon 835. Ce changement de programme pourrait poser probl\u00e8me \u00e0 certains constructeurs, notamment Samsung pour son Galaxy S9.\u00a0<\/strong><\/p>\n
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Successeur du Snapdragon 835, le Snapdragon 845 est le prochain processeur mobile de Qualcomm.\u00a0Les Galaxy S9 et Galaxy S9 Plus de Samsung seront les premiers \u00e0 embarquer le Snapdragon 845. Par la suite, cette puce \u00e9quipera probablement la plupart des flagships Android de 2018, comme le Snapdragon 835 en 2017. Parmi les smartphones qui l'embarqueront, on \u00e9voque d\u00e9j\u00e0 le LG G7, le Xiaomi Mi 7 ou encore le Vivo XPlay 7.<\/p>\n
Jusqu'\u00e0 pr\u00e9sent, la rumeur courait que le Snapdragon 845 serait le premier processeur grav\u00e9 en 7nm FinFET par TSMC, ce qui en ferait la puce mobile la plus petite jamais produite. Aujourd'hui toutefois, de nouvelles informations en fuite en provenance du site Fudzilla r\u00e9v\u00e8lent que ce processeur serait en fait grav\u00e9 en 10nm FinFET, comme le Snapdragon 835. La gravure en 7nm ne serait pas pr\u00eate avant le deuxi\u00e8me semestre 2018, et sera donc destin\u00e9e au Snapdragon 855<\/a>. Si cette information est av\u00e9r\u00e9e, elle risque de poser un probl\u00e8me majeur \u00e0 Samsung pour son prochain flagship.<\/p>\n