現在のスマートフォンに搭載されているハイエンドチップのほとんどが TSMC と Samsung によって 4 または 5 nm で刻印されているとすれば、後者は 1.4 nm でのチップの生産開始を発表することで、すでにさらに先を目指しています。
先端半導体技術の世界的リーダーであるサムスン電子は昨日、年次イベントサムスンファウンドリーフォーラムで最先端技術の導入によるファウンドリー事業の事業戦略の強化を発表した。を起動した後、昨年夏に世界初の3nmチップを生産、その後、最初のコピーを提示し、韓国の大手企業は、今後数年間でチップをより細かく彫刻する予定です。
実際、同社は受託チップ製造事業を行っていると述べた2025年までに2ナノメートルチップの生産を開始する予定のプロセス（SF1.4）に進む前に、2年後の2027年には1.4ナノメートル。息子兼校長TSMCも2025年までに2nmプロセスに移行する予定, しかし、その後の計画は発表されていません。しかし、台湾の巨人も、10年代の終わりまでにこのような素晴らしい彫刻を準備しているのではないかと私たちは想像しています。
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スマートフォンのエネルギー効率はさらに高まる可能性がある
チップ製造の進歩は通常、ナノメートル単位で測定されます、チップに搭載されている小さなトランジスタのサイズを指定する測定値。数字が小さいほどトランジスタが小さくなりますこれは、より多くのそれらを単一のチップ上に圧縮できることを意味します。
トランジスタの数が多いとチップがますます強力になるのは明らかです、しかし、これらもまた、ますますエネルギー効率が向上。たとえば、サムスンは、3 nm エングレービング (SF3E) のプレゼンテーション中に、最終的には次のことを期待していると宣言しました。チップの消費電力を 35% 削減、 その間パフォーマンスが 35% 向上。
これらのチップは、他の分野が PC、自動車、モデム、データセンター、さらには接続されたオブジェクトで使用する前に、まずスマートフォンに搭載される必要があります。ますます精緻な彫刻が施されるようになったことで、私たちのスマートフォンの自律性は今後数年で飛躍的に向上する可能性があります。また、11 月中旬にクアルコムが発表する次期 Snapdragon 8 Gen 2 がエネルギー効率の点で一例となることも期待されています。
ソース ：サムスン
