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- Galaxy S10+ ベンチマーク: LA バージョン Snapdragon 855 と Huawei Mate 20 Pro sur Geekbench
Snapdragon 855 SoC を搭載したアメリカ市場向けの Galaxy S10+ の新しいベンチマークが Geekbench サイトに登場しました。 6GB の RAM を搭載したこのスマートフォンは、市場で最も強力な Android スマートフォンである Huawei Mate 20 Pro を僅差で上回っています。在庫を確認します。
この 2019 年 1 月 16 日、Galaxy S10+ のベンチマークにオンラインで投稿されましたGeekbench Web サイト、有名なベンチマークプラットフォーム。フラッグシップの公式プレゼンテーションの1か月以上前に、リークはAndroid Pieと6GBのRAMの統合など、テクニカルシートのいくつかの要素を確認しました。
端末は次から電力を供給されます。クアルコム製SoC Snapdragon 855したがって、これはアメリカ市場向けに予約されたバリアントです。欧州向けの Galaxy S10+ には、Samsung が設計した Exynos 9820 SoC が搭載されます。最初のベンチマークを考慮すると、2 つのモデルにはパフォーマンスの差があります。AnTuTu では、Snapdragon 855 を搭載した Galaxy S10+ が Exynos 9820 バージョンを実際に上回っています。現時点では、これらの結果はまだ Geekbench で確認できません。 Exynos 9820 を搭載した S10+ のベンチマークはまだ公開されていません。
Galaxy S10+: Snapdragon 855 バージョンの新しいベンチマークが Geekbench に登場
Geekbench では、American S10+ がシングルコアで 3413、マルチコアで 10256。したがって、スマートフォンはHuawei Mate 20 Proよりも優れており、3310と9799を超えません。AnTuTu では、Exynos 9820 を搭載した Galaxy S10+ も Mate 20 Pro を上回っています。。バージョンに関係なく、Samsung の将来の主力製品は、市場で最も強力な Android スマートフォンとしての地位を確立する方向に順調に進んでいます。
このタイトルを獲得するには、穴あきスクリーンを備えたスマートフォンが、ベンチマークが印象的なSony Xperia XZ4。 Geekbench では、日本の携帯電話はシングルコアで 3497、マルチコアで 12801 まで上昇します。 Apple の iPhone XS Max (4797 および 11205) と競合することさえでき、依然として無敵です。詳細には、いずれの場合でも、Galaxy S10+ Snapdragon 855 は、Huawei P20 Pro (1921 および 6729)、Galaxy Note 9 Exynos 9810 (3081 および 7922)、Galaxy S9 Plus Exynos 9810 (9010)、OnePlus 6T McLaren よりも優れています。エディション (2355 および 8914) および HTC U12 Plus (8664)。
サムスンは、Galaxy S10、S10 Lite、S10+、S10 X2019年2月20日、サンフランシスコで開催されたカンファレンス中に。この新しいベンチマークについてどう思いますか?メーカーにそれ以上のことを期待していましたか？コメントでのご意見をお待ちしております。
