Galaxy Note 20: サムスンはすでに UFS 3.1 メモリチップを 3 倍の速度で生産しています

サムスンは、将来の主力製品、この場合は Galaxy Note 20 のストレージメモリの中心となる最初の UFS 3.1 チップの生産を開始しました。新しい規格により、UFS の 3 倍の書き込み速度を達成することが可能になります。 3.0。現在、生産されているのは 512 GB バージョンのみです。

最初の 512 GB eUFS 3.1 チップ (ユニバーサルオンボードフラッシュメモリ用) は、半導体標準化団体である JDEC による UFS 3.1 標準の正式化から 2 か月も経たないうちに、すでにサムスンで生産されています。 3倍の書き込み速度を実現UFS 3.0チップ512 GB の Samsung の eUFS 3.1 は、スマートフォンストレージのパフォーマンスしきい値 1.2 GB/秒に達します。このチップは今年、サムスンの次期主力製品に向けて準備が整う予定だ。ギャラクシーノート20。

«最速のモバイルストレージの導入により、スマートフォンユーザーは従来のストレージカードで直面するボトルネックを心配する必要がなくなります。」とサムスン電子のメモリチップマーケティング責任者のチョル・チョイ氏は説明する。「eUFS 3.1 は、今年世界のスマートフォンメーカーからの急速に増加する需要をサポートするという当社の継続的な取り組みを反映しています。»と彼は付け加えた。

eUFS 3.1: 100 GB のファイルの転送に 1.5 分、Samsung が保証

これは、最新のハイエンドスマートフォンの中心となる UFS 3.0 標準の転送時間の 3 倍です。Galaxy S20、S20+、S20 UltraあるいはOnePlus 7 と 7T Pro。ランダム性能に関しては、512GB eUFS 3.1 は、現在の標準よりも最大 60% 高速にデータを処理します読み取りの場合は 1 秒あたり 100,000 の入出力操作 (IOPS)、書き込みの場合は 70,000 IOPS が可能です。

512GBのオプションに加えて、サムスンは今年後半に256GBと128GBのチップの生産も開始する予定だ。ベールをもう少し持ち上げるにはこれで十分ですGalaxy Note 20の特徴すべてがうまくいけば、2020 年 8 月か 9 月に発売される予定です。