最初の超高速 UFS 2.0 ストレージ モジュールは、2015 年に Galaxy S6 で Samsung によって発売されました。現在では、ほぼすべてのハイエンド モデルに搭載されています。そして来年までに、UFS 2.1 が登場する番になります。これまで以上に高速でありながら、何よりも最大 512 GB の内部ストレージをサポートできる新しい標準です。
Silicon Motion Technology は、UFS 2.1 標準に基づく新しいメモリ モジュールの発売を発表しました。少なくとも言えることは、2015 年に Samsung Galaxy S6 に搭載されて以来、このテクノロジはその道を歩んできたということです。その間UFS 2.0 はすでに eMMC 5.1 より 2.7 倍高速です新しい標準は、19,000 IOPS (1 秒あたりの入出力操作) 読み取りと 14,000 回の書き込みを実現しながら、さらに高速になります。
UFS 2.1 では、eMMC 5.1 よりも 3 倍高速で、50,000 の読み取り IOPS と 40,000 の書き込み IOPS を実現するメモリ モジュールが期待できます。しかし何よりも、より大きなストレージ容量を期待してください。 Samsung は昨年最初の 256 GB UFS 2.0 モジュールを発表しましたが、Silicon Motion Technology が開発した UFS 2.1 モジュールは最大 512 GB まで拡張可能です。もうマイクロSDカードも必要ありません。
Silicon Motion Technology のプレスリリースに明記されているように、これらの新しいメモリ モジュールはハイエンドのモバイル デバイス向けであり、おまけにエネルギー消費も低く抑えられます。
IHS Markit の NAND フラッシュ技術研究ディレクターである Walter Coon 氏は、今後 5 年以内に UFS が eMMC に完全に置き換わると予測しています。新しい UFS 2.1 モジュールは現在、サンプル形式でメーカーに提供されています。今年後半に量産が開始され、2018 年のスマートフォンに組み込まれるのに間に合うようになります。
https://yumie.trade/tech/kuniye/pourquoi-la-memoire-interne-sera-toujours-meilleure-que-les-cartes-sd.html
